原來的產(chǎn)品將1個控制元件和4個功率元件共5枚芯片以平面排列的形式集成在封裝內(nèi)。除端子以外的封裝外形尺寸為31mm×16mm×5mm。而此次則通過采用層積2個功率元件的新技術(shù)，像2枚芯片一樣對4個功率元件進行了封裝。然后再加上控制元件，將3枚芯片進行了面排列封裝，這樣，除端子以外的外形尺寸便減小到了17mm×7.5mm×1.8mm。
此次在功率元件方面采用了發(fā)熱量比原來的MOSFET低的IGBT。對于HID燈的發(fā)光物質(zhì)，出于環(huán)保目的，目前出現(xiàn)了用氙氣代替水銀的趨勢。不過，采用氙氣時容易出現(xiàn)發(fā)光效率降低的問題，因此要想啟動車燈就需要更大的電流。而隨著電流的增大，功率元件就會產(chǎn)生大量熱量，散熱成為亟急解決的課題。此次通過在使用IGBT減少發(fā)熱的同時，為了使燈框本身直接起到散熱器的作用，使用了將燈框暴露在外的散熱性出色的封裝。
樣品價格為1000日元。將于2007年10月轉(zhuǎn)入月產(chǎn)1萬個的量產(chǎn)。計劃2010年秋季擴大到月產(chǎn)20萬個的規(guī)模。
